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Generatore di segnali, generatore di onde arbitrarie... sono confusa...


Nadine 82

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grazie gabri per gli spunti, poi dopo cena sperimento sul software.

Avevo giusto sperimentato che: R3 influisce su Vb (come hai detto giustamente tu).

Vbe per forza di cose in questo circuito sarà sempre circa 700mV

Quando ho ben capito col software, provo sulal basetta; alla fine credo che questo circuito di modifica lo faccio su scheda esterna a se, esco da questa semplicemente con un cavo dal pin 3 e dalla Vcc.

Mi sarebbe piaciuto farlo sulla scheda originale, ma calcolando 2 resistori, 2 condensatori, il transistor.. non sarebbe di certo facile..

 

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19 minuti fa, Nadine 82 ha scritto:

R3 influisce su Vb (come hai detto giustamente tu).

Intendevi I ?

 

Scusate la doppietta .....

Modificato: da gabri-z
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se non ricordo male mentre sperimentavo, modificando R3 variava Ve.. e pari pari variava anche Vb (Vb= Ve+0,700 persi sulla giunzione)

 

Modificato: da Nadine 82
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Vuol dire che andavi assorbire tropo dal partitore , che non dava più 6V (che in realtà manco ora ci sono ) 

Se il potenziale è fisso in base , come vuoi che lo sposti il resistore R3 ? Variando la R3 con potenziale fisso in base fa variare la corrente di emettitore /collettore .

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ammetto che nonostante ci abbia studiato sopra, trovo qualche difficoltà 😞

Credo che il problema maggiore sia nel capire, ma a me quanta Ib e quindi Ic serve?

Io credo poca, serve solo a far rimanere in zona attiva il transistor e a mandarmi quindi il segnale verso l'out.

Quindi vedo che da datasheet indicano come 50nA il limite di Ib sotto il quale è in interdizione.

Quindi una volta che sia di qualche uA credo sia abbastanza.

Ho dovuto però aumentare sia R3 che le R del partitore per ridurre ovviamente la Ib e quindi anche la Ie.

Adesso ho i 6vdc su Vb (ma non ho capito perchè dovrei avere 6, funzionerebbe anche con molto meno no?)

Non so se sia il software, ma io se vario R3, mi varia anche Vb; questo perchè cambia Ie...ma cambia anche Ic e quindi varia la corrente che scende nel partitore, e di conseguenza varia Vb; quindi non può restare fissa Vb, se modifico SOLO R3...

 

genmod.png

 

così ho poco più di 1mA per Ic e Ie, 7uA per Ib (e una scorta che va via da R2 di 50uA circa)

 

bocciata vero? 😞

non è facile...

 

 

 

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 Ammettiamo che il dimensionamento fosse giusto (che il circuito fosse venuto così dalla fabbrica ) :

 Misura l'ampiezza del segnale in uscita senza carico e con carico , anzi con due carichi differenti

(una volta , diciamo 32 Ohm e poi 1 kOhm ) .

  Prova spiegarti i risultati e cerca di immaginare se ti andrebbe bene nel utilizzo futuro.

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3 ore fa, Nadine 82 ha scritto:

ma io se vario R3, mi varia anche Vb; questo perchè cambia Ie

Questo perché il partitore in base è ''morto di fame '' , prova un caso estremo , partitore con due 10 Ohm al posto di 10 kOhm e vediamo se la colpa è del simulatore .

 Oppure , se hai modo di impostare hFE del transistor , fai che sia 800 diciamo (sul partitore con 10 kOhm)

Modificato: da gabri-z
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Se vuoi progettare un emitter follower devi prina stabilire 2 valori: l'ampiezza massima del segnale in uscita e l'impedenza di uscita.

 

Tanto per fare un esempio.

Ampiezza massima segnale in uscita: 2Vpp

Impedenza di uscita 50 ohm.

Tensione di alimentazione 9V, valore che riusulta più che sufficiente per l'ampiezza del segnale.

 

La prima cosa  da coalcolrare è la tensione di base in condizioni di riposo.

Per determinare questo valore si stabilisce il valore della tensione di emitter in condizioni di riposo; è corretto porre questo valore a circa metà del tensione di alimentazione, ovvero 4.5V. In questo modo l'escursione del segnale non subirà distorsioni dovuti alla saturazioene ed il transistor lavora sempre in condizioni lineari.

La tensione di base corrisponderà a Ve +0.7V ==> 5.2V. Ora bisogna calcolare un partitore resistivo che fissi la base a questo valore.

La tensione massima sull'emettitore sarà 4.5V + 1V (metà dell'amopiezza del segnale), quindi la corrente massima di emitter sara 5.5 / 50 = 110 mA.

In funzione del transistore scelto si ricerca il valore minimo di Hfe in quelle condizioni di tensione e corrente. Supponiamo di aver scelto unn transistor che in quelle condizioni abbia un Hfe >= 75, ne discende che la corrente di base sarà <= 1,466 mA.

Con segnale minimo sia vrà una corrente di emitter pari a 3.5 / 50 = 70mA, con corrente di base corrispondente a 0.9333 mA.

La somma del partitore, ovvero Rb1 + Rb2 sarà Vcc / (Ibmax * 10) ==> 9 / 0.01466 ==> 613 Ohm. Usando i valori commerciali si avrà Rb1 = 270 ohm e Rb2 = 330 ohm, il valore totale sarà pari a 600 ohm nominali, il valore di tensione di base sarà (9 / 600) * 330 = 4.95, unpo' meno del calcolato, ma comunque ancora valido per far lavorare il transistor in zona lineare.

Se si divide il valroe di Rb2  per Hfe minimo si ha 4.4 che è un valore che non influenza in modo significativo l'impedenza di uscita.

Resta da verificare sulle curve del transitore, tracciando la retta di carico che il tutto sia in zona lineare.

 

Attenzione.

Io ho usato alcune semplificazioni pratiche, se leggi come si calcola un emitter follower, avendo come riferimento un testo sacro come il Milman, le cose sono un poco più complesse, ma le approssimazioni che ho ho usato han sempre dato buoni risultati.

Modificato: da Livio Orsini
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grazie gabri e livio, nel dormi sveglia della notte avevo il pensiero fisso su questo circuito 🤭

farò gli esperimenti suggeriti in giornata e poi faccio sapere.

Forse una cosa che in effetti manca alla simulazione è il carico in out messo a gnd, in modo da far circolare il segnale.

L'ampiezza della sinusoide (e triangolare), sul pin di uscita originale, volendo, arriva a bassa frequenza a 7volt vpp se alzo tutto il potenziometro; ma ho letto in varie review di questo generatore, che per avere un segnale non distorbo bisogna stare al massimo a 3v e così farò; la Vin del circuito, che prelevo dalla Vcc originale, può variare da 9 a max 12 v, ho usato il caso estremo, posso anche usare 9v.

Quello che dici tu livio è la stessa cosa che mi sono chiesta sin dall'inizio:

1 ora fa, Livio Orsini ha scritto:

Se vuoi progettare un emitter follower devi prina stabilire 2 valori: l'ampiezza massima del segnale in uscita e l'impedenza di uscita.

 

ampiezza l'ho spiegato, per l'impedenza di uscita ho capito che se si ha una impedenza bassa, lo stadio successivo preleverà il segnale più facilmente, ma forse non ho idea del valore che debba avere (tu fai un esempio di 50ohm).

L'unica cosa che ho capito è che un collettore comune ha una bassa impedenza in uscita, ma forse devo ancora capire se questo dipenda da come viene polarizzato, soprattutto a valle dell'emettitore o meno.

Nelle specifiche del generatore (che si trovano si e no..), ho letto il seguente dato:

Impedance: 600Ohm+10%

(credo che intendano che l'uscita del segnale abbia quella impedenza?..immagino che 600ohm in effetti sia una basssa impedenza)

 

a breve riprendo il software (comunque molto istruttivo direi)

 

grazie 😉

Modificato: da Nadine 82
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1 ora fa, Nadine 82 ha scritto:

Nelle specifiche del generatore (che si trovano si e no..), ho letto il seguente dato:

Impedance: 600Ohm+10%

 

Significa che l'impedenza di uscita del generato è di 600 ohm.

Se vuoi fare un emeitter follower con impedenza di uscita da 600 ohm ti basta mettere il resistore di emitter da 600 ohm invece di 50 ohm e rivedere i calcoli di corrente in funzionde di questo dato. in pratica puoi moltiplicare per 10 i valori delle resistenze di polarizzazione ed i due circuiti si equivalgono.

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10 minuti fa, Livio Orsini ha scritto:

Significa che l'impedenza di uscita del generato è di 600 ohm.

si dai metto Re da 600ohm, così abbasso la corrente.

Io come vpp calcolo 3v, quindi 1,5vp del segnale sui tuoi calcoli.

Mi sono bloccata però sul valore di hFE da prendere in considerazione; ho visto datasheet di transistor con molti schemi, ma quello del 2n3904 è veramente misero... (manca qualsiasi schema, come quello sui punti di lavoro, ma analizzando il segnale in uscita se fosse non in zona attiva si vedrebbe sull'oscilloscopio)

Ma tornando a hFE, dovrei prendere nelle condizioni di Ic (circa =Ie) e Vce,  il beta minimo.

La corrente Ie=Ic circa dovrebbe essere al max 6/600= 10mA.

La Vce (immagino che si intendano solo dc senza segnale) dovrebbe essere VC 9v - Ve 4,5v = 4,5v

Il datashett mi dice:

hFE min con 10mA e Vce=1v = 100

Però è riferita a una Vce di solo 1v, io ho circa 4,5v: quel valore 100 di beta può andar bene anche con vce superiore?

 

Intanto provo a tener buono 100 come valore vediamo cosa salta fuori..

grazie

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31 minuti fa, gabri-z ha scritto:

A giorno d'oggi , quasi tutti i transistor hanno un hFE =100 o maggiore , se non speciali oppure scadenti . 

si ma il datasheet parla anche di valore max e minimo:

 

2n3904.png

 

quindi è corretto dire che, ad esempio per questo 2n3904, il suo valore di hfe può variare da 30 a 300, a seconda della polarizzazione?

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ho calcolato sulle basi di un hfe di 100, ecco il circuito:

 

siLoad.png

 

ho anche messo un carico di load da 10k (dovrebbe simulare ad esempio un entrata audio di un amplificatore, ma l'ho messo a caso..)

Come detto ho scelto una Re da 600ohm (impedenza in uscita dal transistor)

Ma direi che i valori potrebbero anche andare credo; vedo che il segnale perde qualcosa in vpp in uscita, ma con collettore comune è normale.

Prima di sperimentare su basetta, mi resta da capire una cosa che al momento non riesco a decifrare: il resistore da 200ohm in serie al condensatore di filtro dc in uscita segnale, e quindi appena prima dell'out, a cosa serve? cosa comporta?

(l'ho messo in quanto me l'avevi elencato tu livio la prima volta che hai suggerito lo schema), ma non comprendo bene il suo lavoro.

Per il resto credo che ci siamo 😉

 

grasssie

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5 minuti fa, Nadine 82 ha scritto:

quindi è corretto dire che, ad esempio per questo 2n3904, il suo valore di hfe può variare da 30 a 300, a seconda della polarizzazione?

Si e no .I valori che trovi come ''Min'' , sono il minimo garantito nelle condizioni da loro specificate , cioè , non puoi (dovresti ) trovare di peggio . 

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7 minuti fa, Nadine 82 ha scritto:

ho anche messo un carico di load da 10k

Prova mettere anche un carico di carico da 50 Ohm e vedi come ti torna .

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11 minuti fa, gabri-z ha scritto:

Si e no .I valori che trovi come ''Min'' , sono il minimo garantito nelle condizioni da loro specificate , cioè , non puoi (dovresti ) trovare di peggio . 

si certo, ma lo dicevo per capire quale valore era preferibile che io prendessi quando faccio la polarizzazione, credo che se ci fosse stato un grafico sull'hFE l'avrei capito da sola, ma questo transistor è misero in tal senso (zero schemi)

 

6 minuti fa, gabri-z ha scritto:

Prova mettere anche un carico di carico da 50 Ohm e vedi come ti torna .

 

in effetti dovrei provare con diversi carichi, anche perchè non ho ben idea del carico che troverò dove dovrò iniettare il segnale; teoricamente in circuiti audio (input sorgente)

Dopo pranzo provo, mi ero dimenticata di variare il carico RL

grazie

😉

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A livello di prove, vedi come si comporta un BC549C.

Ha un guadagno minimo molto più alto del 2N3904, il che ti consentirà di moltiplicare almeno due volte il valore delle resistenze del partitore e ti permetterà di dimezzare la resistenza sull' emettitore, ottenendo una impedenza di uscita più bassa che fa sempre bene.

Una regola pratica per conoscere l'impedenza di ingresso di uno stadio a collettore comune è moltiplicare il carico sull' emettitore per il guadagno del transistor. Il carico è il parallelo della resistenza di emettitore e di quella del circuito dove vai a iniettare il segnale.

Conoscendo l'impedenza di ingresso del transistor puoi risalire alle resistenze da utilizzare nel partitore ponendo la famosa R2 di valore almeno 10 volte più basso 3 calcolando di conseguenza la R2.

Come vedi si fa quasi tutto a occhio!;)

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Sara giusto, San Max, ma per l'impedenza d'ingresso pare che ti sfugga il parallelo del partitore..... Sarebbe stato giusto al 100% se fosse polarizzato dal collettore. 

Haha, ho liberato la cassetta... 

 

Poi, se avessi letto tutto, il suggerimento di un hFE da 800, vicino al massimo dei xx9, l' ho già fatto. 

Modificato: da gabri-z
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36 minuti fa, maxmix69 ha scritto:

A livello di prove, vedi come si comporta un BC549C.

Ha un guadagno minimo molto più alto del 2N3904, il che ti consentirà di moltiplicare almeno due volte il valore delle resistenze del partitore e ti permetterà di dimezzare la resistenza sull' emettitore, ottenendo una impedenza di uscita più bassa che fa sempre bene.

quello non l'ho, però ne ho altri 4 tipi tutti più prestazionali, avevo scelto apposta quello con minor guadagno.

Ovvio che diminuire l'impedenza in uscita sia una bella cosa per questo progetto

36 minuti fa, maxmix69 ha scritto:

Una regola pratica per conoscere l'impedenza di ingresso di uno stadio a collettore comune è moltiplicare il carico sull' emettitore per il guadagno del transistor.

si questo l'avevo visto mi sembra in un video, immagino si prenda sempr eil valore minimo di hfe

 

36 minuti fa, maxmix69 ha scritto:

Conoscendo l'impedenza di ingresso del transistor puoi risalire alle resistenze da utilizzare nel partitore ponendo la famosa R2 di valore almeno 10 volte più basso 3 calcolando di conseguenza la R2.

forse volevi dire ponendo la famosa R3, giusto?

Modificato: da Nadine 82
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39 minuti fa, Nadine 82 ha scritto:

Conoscendo l'impedenza di ingresso del transistor puoi risalire alle resistenze da utilizzare nel partitore

La quale torna dal guadagno moltiplicato per  R3  (con una buona precisione ) , conosci l'hFE , ti calcoli la Ib , moltiplichi per 10 (io lo metto sempre per 20 ) , e trovi la corrente nel partitore , dove ti ''scontri '' con la menzionata R2 ......

Poi che ci sia una piccola ambiguità nel messaggio , si , ma visto che hai lavorato sul'' pasto gratis '' , non hai avuto modo di notare la differenza e scartare l'errore.:P

Modificato: da gabri-z
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