Antonio Alvino Inserito: 21 ottobre 2023 Segnala Share Inserito: 21 ottobre 2023 Salve C'è un alternativa a questo mosfet? grazie Link al commento Condividi su altri siti More sharing options...
Gennar0 Inserita: 21 ottobre 2023 Segnala Share Inserita: 21 ottobre 2023 Trovare delle equivalenze è sempre complicato, devi star li a controllare tanti dati. Passa alla lente questo. SIR426DP-GE3, non ho controllato nei particolari. Link al commento Condividi su altri siti More sharing options...
Antonio Alvino Inserita: 21 ottobre 2023 Autore Segnala Share Inserita: 21 ottobre 2023 grazie gennaro Link al commento Condividi su altri siti More sharing options...
Antonio Alvino Inserita: 21 ottobre 2023 Autore Segnala Share Inserita: 21 ottobre 2023 (modificato) Condivido la risposta di OpenAi Ecco un confronto tra i due MOSFET che hai menzionato, il RJK0305DP e il SIR426DP: 1. RJK0305DP: Tipo: P-channel Produttore: Renesas Electronics Tensione di Gate-Source (Vgs): -12V Corrente continua in tensione di Gate (Id): 3A Tensione Drain-Source (Vds): -30V Resistenza On-State (Rds(on)): 45mΩ (massimo) Encapsulation: SOP-8 Applicazioni comuni: Circuiti di commutazione, regolatori di tensione, protezione da sovratensione, ecc. 2. SIR426DP: Tipo: P-channel Produttore: Vishay Siliconix Tensione di Gate-Source (Vgs): -12V Corrente continua in tensione di Gate (Id): 3.2A Tensione Drain-Source (Vds): -30V Resistenza On-State (Rds(on)): 49mΩ (massimo) Encapsulation: PowerPAK® SO-8 Applicazioni comuni: Circuiti di commutazione, alimentatori switching, regolatori di tensione, ecc. Entrambi questi MOSFET sono di tipo P-channel con specifiche simili. La principale differenza risiede nella resistenza on-state, dove il RJK0305DP ha una resistenza on-state leggermente inferiore rispetto al SIR426DP. La scelta tra i due dipenderà dalle esigenze specifiche del tuo circuito e dalla disponibilità dei componenti. Assicurati di consultare i datasheet e le specifiche tecniche complete per determinare quale di essi sia più adatto al tuo progetto. La resistenza On-State (Rds(on)) in un MOSFET è un parametro importante, specialmente in applicazioni in cui la dissipazione di potenza e l'efficienza energetica sono cruciali. La resistenza On-State rappresenta la resistenza del transistor quando è in conduzione, cioè quando il MOSFET è acceso e la corrente scorre attraverso di esso. In generale, una resistenza On-State più bassa è preferibile per diverse ragioni: Minore Dissipazione di Potenza: Una resistenza On-State più bassa comporta una minore caduta di tensione attraverso il MOSFET quando è in conduzione, riducendo così la dissipazione di potenza nel dispositivo. Ciò si traduce in un riscaldamento più contenuto e in una maggiore efficienza energetica. Minore Riscaldamento: Un MOSFET con una resistenza On-State più bassa genera meno calore durante l'operazione, il che può essere importante in applicazioni in cui il controllo della temperatura è critico. Maggiore Corrente Massima: MOSFET con Rds(on) più bassa possono gestire correnti più elevate in modo più efficiente, il che li rende adatti per applicazioni ad alta corrente. Maggiore Velocità di Commutazione: MOSFET con Rds(on) più bassa di solito hanno una migliore risposta alle variazioni di tensione di gate, il che li rende adatti per applicazioni in cui è necessaria una rapida commutazione. Tuttavia, è importante notare che la scelta tra MOSFET con diverse resistenze On-State dipende dalle specifiche esigenze del tuo circuito. In alcune applicazioni, potresti dover bilanciare le prestazioni con altre caratteristiche, come la tensione di gate, la corrente massima e l'encapsulation. Assicurati di fare riferimento alle specifiche tecniche e di considerare tutte le variabili del tuo progetto quando selezioni un MOSFET. Modificato: 21 ottobre 2023 da Antonio Alvino Link al commento Condividi su altri siti More sharing options...
Gennar0 Inserita: 22 ottobre 2023 Segnala Share Inserita: 22 ottobre 2023 (modificato) 13 ore fa, Antonio Alvino ha scritto: Entrambi questi MOSFET sono di tipo P-channel Senza riguardare i DS dei componenti, ma ricordavo fossero di tipo N, comunque condivido molto di quello che dice. Per sostituire un componente su un circuito, bisogna conoscere perfettamente le caratteristiche dello stesso, e capire se la sostituzione può garantirne efficienza e sicurezza, infatti, se rileggi la mia risposta, mi son guardato bene dal farlo! Modificato: 22 ottobre 2023 da Gennar0 Link al commento Condividi su altri siti More sharing options...
Antonio Alvino Inserita: 22 ottobre 2023 Autore Segnala Share Inserita: 22 ottobre 2023 1 ora fa, Gennar0 ha scritto: Senza riguardare i DS dei componenti, ma ricordavo fossero di tipo N, comunque condivido molto di quello che dice. Per sostituire un componente su un circuito, bisogna conoscere perfettamente le caratteristiche dello stesso, e capire se la sostituzione può garantirne efficienza e sicurezza, infatti, se rileggi la mia risposta, mi son guardato bene dal farlo! Gennaro ho solo voluto provare l'openai per curiosità non altro, comunque il mosfet da te suggerito è ottimo,l'ho preso su ebay. Link al commento Condividi su altri siti More sharing options...
NovellinoXX Inserita: 22 ottobre 2023 Segnala Share Inserita: 22 ottobre 2023 Sono tutti e due canali N Il SIR ha un turn-off tipico circa la metà del RJK. Link al commento Condividi su altri siti More sharing options...
Gennar0 Inserita: 22 ottobre 2023 Segnala Share Inserita: 22 ottobre 2023 1 ora fa, NovellinoXX ha scritto: Il SIR ha un turn-off tipico circa la metà del RJK. Ecco, l'AI ha ancora perso contro gli umani! 🤣😂🤣😆 Link al commento Condividi su altri siti More sharing options...
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