Coppia Di Mos Half-bridge - Problemi sulla commutazione

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Salve a tutti. Ho un problema un po' particolare, che mi sta facendo scervellare già da diversi giorni.

Ho un circuito in cui una coppia di mos in configurazione a mezzo ponte mi pilota un carico ohmico induttivo, come nello schema qui riportato:

D'accordo, nel circuito così disegnato il mos inferiore non serve, basterebbe un diodo, ma il effetti il circuito è solo la metà di un full-bridge e può funzionare anche con polarità sul carico invertita.

Vcc= 300 V

Mos IRFP460 (500 V 20 A)

Corrente massima nel carico 10 A circa.

Frequenza di lavoro 1000 Hz

Tempo deadtime pilotaggio mos: 650 ns

Premetto alcune cose, per escludere alcuni motivi di malfunzionamento:

La variazione di corrente dovuta alla carica e scarica dell'induttanza resta nei limiti di una frazione della corrente del carico.

Non si verifica in nessun caso simultanea conduzione di entrambi i mos.

Le tensioni ai capi dei mos restano nei limiti sopportati dai dispositivi.

Immaginiamo il circuito pilotato da un'onda quadra. La tensione sul carico risulterà essere Vcc/2. La corrente nell'induttanza non si annulla mai (funzionamento continuo).

Il mio problema si presenta nel momento in cui deve entrare in conduzione il mos superiore, mentre la corrente immagazzinata nell'induttanza sta ancora fluendo attraverso il diodo parassita del mos inferiore. Il mos inferiore è sicuramente già interdetto, per la presenza del deadtime creato dall'integrato di pilotaggio (650 ns, controllati), ma resta in conduzione il diodo parassita di tale mos, nel quale si richiude la corrente dell'induttanza (e questo è inevitabile, serve al funzionamento del circuito).

Purtroppo, per riuscire ad interdire tale diodo, il mos superiore, dopo aver fornito la corrente necessaria all'induttanza, è chiamato a fornire anche un ulteriore picco di corrente al diodo, che per un certo periodo continua a condurre anche se polarizzato inversamente (tempo di recovery inverso).

Questo picco di corrente è abbastanza elevato (anche alcune decine di A) e dura, a seconda dei casi e del carico da 100 a 300 ns, portando il mos ai limiti della regione di sicuro funzionamento, provocandomi in breve tempo la distruzione di entrambi i mos.

Come posso limitare/eliminare lo stress di corrente nei mos generato appunto dalla fase di recovery inverso del diodo?

Potrei anche sostituire i mos con altri tipi, o inserire diodi più veloci, ma non sono sicuro di saperli dimensionare bene.

Grazie e ciao a tutti!

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Mi può essere di aiuto anche solo qualche schema realmente funzionante di mos connessi in configurazione simile (half-bridge o full bridge o ponte trifase).

Se qualcuno ha qualche schema (funzionante, non teorico) ricavato da qualche rivista, da qualche apparecchiatura, da qualche manuale tecnico, ecc... mi sarebbe di aiuto.

Grazie ancora.