madak Inserito: 7 dicembre 2007 Segnala Inserito: 7 dicembre 2007 Saluti al n.g. dovrei sostituire un ,anzi 4,due x sicurezza ,componenti siglati 20n60ma mi è sorto un dubbio,sono mosfet o sono igbt?con i 20n60 della ixys ci lavoro tutti i giorni e sono mosfet ma,sulla serigrafia del csdi una saldatrice ad inverter a filo è scritto igbt.Prima di fare caxxxte.....E visto che ci sono..come si misurano i igbt?come dei normali transistori?ciao a tutti e grazie dell'attenzione.
rob10kg Inserita: 7 dicembre 2007 Segnala Inserita: 7 dicembre 2007 Gli IGBT dovrebbero esser dei mosfet.Domani ti dò info più dettagliate.I mosfet si testano con un ohmetro.Verifica l'isolamento di gate (gate-drain e gate-source) e poi con il prova diodi verifica che il canale funzioni come un diodo (polarizzato inversamente canale strozzato non conduce,polarizzato direttamente canale in conduzione mi sembra 0,4 V).
rob10kg Inserita: 8 dicembre 2007 Segnala Inserita: 8 dicembre 2007 Ok,ti confermo.Gli IGBTs sono MOSFET di potenza.ciao
madak Inserita: 9 dicembre 2007 Autore Segnala Inserita: 9 dicembre 2007 Wow,grazie rob e ce li ho anche,mo scendo subito in lab. a sostituirli!!!grazie 1000 e se non ci sentiamo prima....buone feste!
Elvezio Franco Inserita: 9 dicembre 2007 Segnala Inserita: 9 dicembre 2007 Scusa la domanda,ma tu dovevi sostituire 4 X 20N60 con altri 4 20N60.Volevi sapere se i Mosfet erano IGBT....giusto?P.S.Buone feste anche a te.
AndreA. Inserita: 30 dicembre 2007 Segnala Inserita: 30 dicembre 2007 Forse sarà inopportuno rispondere con tanti giorni di ritardo, però vorrei dire la mia, i mosfet sono transistori ad effetto di campo, mentre l'IGBT è un transistor che accomuna le migliori qualità del mosfet e quelle del transistor.Ha un emettitore un collettore e un Gate. Potrei anche sbagliarmi, ma penso che il Mosfet e l'IGBT non siano al stessa cosa , l'unica cosa ad avere in comune è il Gate.
Pietro_1 Inserita: 30 dicembre 2007 Segnala Inserita: 30 dicembre 2007 Infatti, Mosfet e l'IGBT non sono proprio la stessa cosa.Nell'IGBT l'ingresso (gate) viene trattato con caratteristiche tipiche di un Mosfet, mentre l'uscita è un BJT a tutti gli effetti e pertanto ha caratteristiche di collettore ed emettitore di un BJT.
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