tnnplc Inserito: 1 ottobre 2012 Segnala Inserito: 1 ottobre 2012 Salve a tutti, ho un MOSFET IRF840 che riscalda troppo... ho pensato di metterne un altro uguale in parallelo a quello esistente... che ne pensate?? Grazie
GiRock Inserita: 1 ottobre 2012 Segnala Inserita: 1 ottobre 2012 Se vuoi parallelare 2 MOSFET a canale N, devi metterci 2 Resistenze di basso valore dopo i Source tipo da 0,1 Ohm, altrimenti lavorerà sempre quello con minore Rds... P.S. Tieni presente anche il consiglio di Livio naturalmente ...
Mirko Ceronti Inserita: 2 ottobre 2012 Segnala Inserita: 2 ottobre 2012 altrimenti lavorerà sempre quello con minore Rds... Il quale scalderà più del suo compagno, e quindi essendo positivo il coefficiente di temperatura dei Mos-Fet, la sua resistenza D-S aumenterà, convogliando così la corrente in eccesso fra il D e la S dell'altro Mos-Fet, realizzando in questo modo una compensazione automatica. Personalmente ho messo in parallelo i Mos-Fet più volte nei miei archibugi autocostruiti (e senza usare la resistenza), ed è vero, uno scalda sempre un po' più dell'altro, ma senza mai andare in deriva termica. Del resto, tutti i costruttori di Mos-Fet (ed i testi al riguardo) vantano il fatto di non dover mettere la resistenza di compensazione da 0,1 Ohm come invece accade obbligatoriamente nei BJT. Quindi ? Quindi a questo punto la domanda la faccio io : come mai nelle applicazioni Audio dove negli amplificatori finali si trovano 5-:-6 ed anche più Mos-Fet in parallelo, la resistenza da 0,1 Ohm viene messa ? Per precauzione ? O perchè invece serve veramente, pena la distruzione dello stadio finale ? Saluti Mirko
Livio Orsini Inserita: 2 ottobre 2012 Segnala Inserita: 2 ottobre 2012 Quindi a questo punto la domanda la faccio io : come mai nelle applicazioni Audio dove negli amplificatori finali si trovano 5-:-6 ed anche più Mos-Fet in parallelo, la resistenza da 0,1 Ohm viene messa ? Perchè si cerca di far lavorare tutti semiconduttori nel medesimo modo; addirittura c'è chi seleziona i finali per averli con le caratteristiche più simili possibili.
tnnplc Inserita: 2 ottobre 2012 Autore Segnala Inserita: 2 ottobre 2012 Scusatemi, avete ragione, per mancanza di tempo non ho inserito lo schema.. eccolo: All'out viene collegato un manipolo con una testina in alluminio che opportunamente isolata viene pogiata sulla pelle producendo, grtazie alla radiofrequenza, calore... il circuito è ok tranne quando il mosfet si surriscalda, producendo così un disaccoppiamento capacitivo... Evitando il siurriscaldamento (circa 90°) dovrei eliminare questo problema... che ne pensate? Grazie anticipatamente
Mirko Ceronti Inserita: 2 ottobre 2012 Segnala Inserita: 2 ottobre 2012 Perchè si cerca di far lavorare tutti semiconduttori nel medesimo modo; addirittura c'è chi seleziona i finali per averli con le caratteristiche più simili possibili.
tnnplc Inserita: 2 ottobre 2012 Autore Segnala Inserita: 2 ottobre 2012 premetto che il mosfet è provvisto sia di aletta che ventola di raffreddamento...
Livio Orsini Inserita: 2 ottobre 2012 Segnala Inserita: 2 ottobre 2012 Come è stato dimensionato il Mosfet? Son stati fatte le verifiche di dissipazione? Il circuito sta lavorando nelle condizioni previste? Raddoppiarlo così, secondo la regola "pene di molosso", non mi sembra corretto. O non è stato dimensionato correttamente il circuito, oppure il funzionamento non è regolare.
tnnplc Inserita: 2 ottobre 2012 Autore Segnala Inserita: 2 ottobre 2012 (modificato) allora il problema si sta verificando (giustamente) da quando ho aumentato le spire del trasformatore 9+3 collegato al DRAIN, (originariamente era 9+1) per aumentare i Vpp di uscita.... a questo punto penso che il discorso mosfet deve essere adattato a questa modifica, per questo chiedo il vostro cortese aiuto e consiglio.... Modificato: 2 ottobre 2012 da tnnplc
IZ1PKR Inserita: 2 ottobre 2012 Segnala Inserita: 2 ottobre 2012 Se capisco bene tu avevi un trasformatore con rapporto 9 a 1 che alimentava il secondo con rapporto 1 a 90. Hai modificato le spire del primo portandolo a 9 a 3 quindi hai triplicato la tensione al primario del secondo trasformatore. Non è che adesso il trasformatore va in saturazione assorbendo una corrente smodata e di conseguenza sovraccaricando il circuito? Se tu aggiungi mosfet non è che poi cede il trasformatore? Cordialmente
tnnplc Inserita: 2 ottobre 2012 Autore Segnala Inserita: 2 ottobre 2012 (modificato) no il trasformatore è ok.... infatti rimane appena tiepido... Modificato: 2 ottobre 2012 da tnnplc
Livio Orsini Inserita: 2 ottobre 2012 Segnala Inserita: 2 ottobre 2012 Come ho scritto in precedenza le modifiche non si possono fare a capocchia, ma vanno studiate. Bisognerebbe conoscere bene quello che sta succedendo al povero mosfet. Può anche essere che sia necessario modificare il suo pilotaggio. Può anche essere che la pezza sia peggiore del buco.
ludo69 Inserita: 3 ottobre 2012 Segnala Inserita: 3 ottobre 2012 a me suona strana la presenza di C5 (io lo cortocircuiterei) che rende indeterminata la tensione istantanea del gate che potrebbe caricarsi in continua (la capacità di gate intendo) spostando il punto di soglia della conduzione del dispositivo..... ma dove l'hai preso lo schema?
Adriano02 Inserita: 7 aprile 2020 Segnala Inserita: 7 aprile 2020 Buongiorno a tutti, mi collego a questa discussione del 2012 sperando che qualcuno legga il mio post e mi possa dare una mano. Premetto che non ho basi ferrate di elettronica ed elettrotecnica e mi scuso in anticipo per eevntuali spropositi. Sono in possesso di un bel trasformatore duale da 1000 VA con secondari da +/- 38 v. Non mi è chiaro se la corrente erogabile su ciascuno dei secondari si calcola così: I = 1000/38 = 26A oppure così: I = 1000/(38x2) = 13A. Passo al quesito più inerente al titolo di questa discussione. Per il trasformatore descritto sto costruendo un alimentatore tratto da Nuova Elettronica n. 148 (allego lo schema modificato) Naturalmente sto effettuando la classica modifica consistente nel collegare più transistor in parallelo e per l’esattezza ho sostituito i singoli TIP33 e TIP 34 con 5 TIP35 e TIP36 in parallelo per ciascun ramo aggiungendo delle resistenze da 0.1 ohm in serie ai collettori. Ho anche sostituito empiricamente le resistenze R1 e R2 da 5.6 ohm con resistenze da 6.8 ohm perché gli IC scaldavano un po’ troppo (ma proverò a ripristinare i vecchi valori per controverifica). Nonostante le resistenze da 0.1 ohm, non sono riuscito ad eliminare il problema del transistor che scalda più degli altri. Premetto che correderò i vari componenti con dei dissipatori generosi ma vorrei eliminare l’inconveniente a priori. Avrei pensato di sostituire i transistors con dei MOSFET e arrivo alle domande: 1) Ho letto in questa stessa discussione che le resistenze di compensazione non sono proprio indispensabili ma se ci sono, male non fanno. Quindi i MOSFET andrebbero collegati con i gate e i drain in comune e la resistenza in serie al source? 2) Anche per i MOSFET esistono i complementari come nei BJT ? Possiedo degli IRFP150N e sul relativo datasheet non è presente l’indicazione di un eventuale complementare. Come mi devo regolare? 3) Accetto anche suggerimenti su MOSFET di potenza superiore. Grazie e a presto
gabri-z Inserita: 7 aprile 2020 Segnala Inserita: 7 aprile 2020 (modificato) 2 ore fa, Adriano02 ha scritto: aggiungendo delle resistenze da 0.1 ohm in serie ai collettori. Sicuro ? A parte che conviene aprire una discussione tutta tua .... Modificato: 7 aprile 2020 da gabri-z
Domenico Maschio Inserita: 7 aprile 2020 Segnala Inserita: 7 aprile 2020 Discussione chiusa Il regolamento, che avresti dovuto leggere prima di postare ,vieta di accodarsi a discussioni vecchie . Aprine una nuova . saluti
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